ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ФНКЦ РР |
||
№ | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
---|---|---|---|---|---|
1. | Полный текст | Petrosyants K., Kozhukhov M., Popov D. Effective radiation damage models for tcad simulation of silicon bipolar and mos transistor and sensor structures // Sensors & Transducers Journal. — 2018. — Vol. 227, no. 11. — P. 42–50 | P_3033.pdf | 959,3 КБ | 1 сентября 2020 [mkozhukhov] |