Аннотация:С помощью моделирования методом молекулярной динамики и экспериментально исследовано
влияние упорядочения атомов на угловое распределение распыления грани (001) монокристалла
Ni4Mo, облучаемой ионами аргона с энергией 10 кэВ. Показано, что в случае неупорядоченного
кристалла компоненты как Ni, так и Mo вылетают в одном и том же кристаллографическом направ-
лении. В случае упорядоченного кристалла выход Мо наблюдается в тех же направлениях, а выход
Ni смещается относительно них. Проведено сравнение результатов с данными, полученными для
вторичной ионной эмиссии с грани (001) Ni4Mo.