|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Фотолюминесценция нанокомпозитной системы Genc@AAOтезисы доклада
- Авторы: Бельтюков А.Н., Аверкиев И.К., Закирова Р.М., Волков В.А.
- Сборник: 53 Школа ПИЯФ по физике конденсированного состояния, сборник тезисов и список участников
- Тезисы
- Год издания: 2019
- Место издания: типография НИЦ «Курчатовский институт» – ПИЯФ 188300, Гатчина Ленинградской обл., мкр. Орлова роща, д. 1
- Первая страница: 80
- Последняя страница: 80
- Аннотация: Нанокомпозитные системы, представляющие включения полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрической оксидной матрице,рассматриваются как одни из перспективных материалов активных элементов современной оптоэлектроники [1]. В настоящей работе рассматривается новый метод формирования нанокристаллитов германия в матрице пористого анодного оксида алюминия, и приводятся исследования фотолюминесцентных свойств, полученной нанокомпозитной системы (Genc@AAO). В основе метода лежит анодное окисление многослойной пленки Al/Ge с последующим восстановительным отжигом. Многослойные пленки, состоящие из двух слоев алюминия толщиной по 100 нм и среднего слоя германия толщиной 30 нм, осаждались методом вакуумного термического напыления. После осаждения пленки отжигались при температуре 100 °С в течение 1 часа. Анодирование осуществлялось в электрохимической ячейке в 0,3 М растворе щавелевой кислоты при постоянном напряжении 40 В и температуре 5 °С. Как было показано ранее в работе [2], полученные в данных режимах оксидные пленки состоят из пористых слоев оксида алюминия и оксида германия. Отжиг в среде водорода при температуре 500 °С приводит к восстановлению германия. Спектры фотолюминесценции возбуждались лазерным излучением с длиной волны 532 нм. Полоса излучения с максимумом около 665 нм связывается с излучением нанокристаллитов германия.Работа поддержана грантом РНФ № 17-79-10285.
- Добавил в систему: Аверкиев Игорь Кронидович