|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Обзор развития технологии полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN)статья
- Автор: Туркин А.Н.
- Журнал: Полупроводниковая светотехника
- Номер: 6
- Год издания: 2011
- Первая страница: 44
- Последняя страница: 47
- Добавил в систему: Туркин Андрей Николаевич