|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрические свойства гетероперехода IFO/p-Siстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Унтила Г.Г., Кост Т.Н., Чеботарева А.Б., Закс М.Б., Ситников А.М., Солодуха О.И.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 42
- Номер: 4
- Год издания: 2008
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 415
- Последняя страница: 422
- Добавил в систему: Унтила Геннадий Григорьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | статья | 2008_FTP_Vliyanie_uslovij_osazhdeniya_i_otzhiga_IFO........… | 213,7 КБ | 11 июня 2015 [guntila] |