Ion implantation in $\upbeta$-Ga2O3: Physics and technology

Nikolskaya, A.; Okulich, E.; Korolev, D.; Stepanov, A.; Nikolichev, D.; Mikhaylov, A.; Tetelbaum, D.; Almaev, A.; Bolzan, C.A.; Buaczik, A.; Giulian, R.; Grande, P.L.; Kumar, A.; Kumar, M.; Gogova, D.

Ion implantation in $\upbeta$-Ga2O3: Physics and technologyстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 апреля 2021 г.

Авторы: Nikolskaya Alena, Okulich Evgenia, Korolev Dmitry, Stepanov Anton, Nikolichev Dmitry, Mikhaylov Alexey, Tetelbaum David, Almaev Aleksei, Bolzan Charles Airton, Buaczik Antônio, Giulian Raquel, Grande Pedro Luis, Kumar Ashok, Kumar Mahesh, Gogova Daniela
Журнал: Journal of Vacuum Science and Technology A
Том: 39
Номер: 3
Год издания: 2021
Издательство: AIP Publishing
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 030802
DOI: 10.1116/6.0000928
Добавил в систему: Степанов Антон Викторович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Ion implantation in $\upbeta$-Ga2O3: Physics and technologyстатья