|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Computer studies of boron ion channeling in silicon single crystalстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
- Авторы: Eltekov V.A., Karpuzov D.S., Martynenko Yu V., Rubakha E.A., Simonov V.A., Yurasova V.E.
- Журнал: Radiation effects
- Том: 13
- Номер: 3
- Год издания: 1972
- Издательство: Gordon and Breach.
- Местоположение издательства: New York, United States
- Первая страница: 237
- Последняя страница: 242
- Аннотация: The motion of 200 keV B ions in the [111] direction in a silicon single crystalhas been investigated using a computer simulation method. Profiles of the depth of implanted ions for both an ideal crystal and a crystal with thermal vibration have been obtained. A study of the defect distribution has been carried out.
- Добавил в систему: Эльтеков Виталий Анатольевич