Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Effect of gas absorbtion on the interfacial states at n-SnO2/p-Si heterojunction
тезисы доклада
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
Авторы:
Vasiliev R.B.
,
Gaskov A.M.
,
Rumyantseva M.N.
,
Ryabova L.I.
Сборник:
Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors
Том:
1
Тезисы
Год издания:
2001
Место издания:
Osaka, Japan
Первая страница:
333
Последняя страница:
334
Добавил в систему:
Васильев Роман Борисович