|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Evolution of Electron Transport under Resistive Switching in Porphyrazine Filmsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 сентября 2021 г.
- Авторы: Drozdov K.A., Krylov I.V., Vasilik V.A., Kosov A.D., Dubinina T.V., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 55
- Номер: 3
- Год издания: 2020
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 296
- Последняя страница: 300
- DOI: 10.1134/s1063782621030052
- Аннотация: An analysis of the I–V characteristics makes it possible to determine the mechanisms of conduc-tion corresponding to different states of the flow channels upon resistive switching in porphyrazine films.A variation in the temperature, the structure of the dielectric matrix, and the type of majority charge carriersmakes it possible to estimate the applicability of the model of conducting filaments for describing transportand determining the mechanisms of conduction for each state of the system.
- Добавил в систему: Дроздов Константин Андреевич