Study of silicon carbide surface at different stages of doping by nitrogen atoms - тезисы доклада | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Study of silicon carbide surface at different stages of doping by nitrogen atomsтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 марта 2022 г.

Авторы: Andalashvili M.Z., Presnov D.E., Minnebaev D.K., Rogozin A.E., Miakonkikh A.V., Lubenchenko A.V., Tsiniaikin I.I., Krupenin V.A., Trifonov A.S.
Сборник: Proceedings of International Confernce "Micro- and Nanoelectronics - 2021" (ICMNE-2021): Book of abstracts
Редакторы: Лукичев Владимир Федорович, Руденко Константин Васильевич
Тезисы
Год издания: 2021
Издательство: ООО "МАКС Пресс"
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: P2-05
Последняя страница: 167
DOI: 10.29003/m2433.ICMNE-2021
Добавил в систему: Andalashvili Mary

Прикрепленные файлы

№	Имя	Описание	Имя файла	Размер	Добавлен
1.	Полный текст		Andalashvili_ICMNE_2021_P205_P167.pdf	1012,3 КБ	21 октября 2021 [denis-presnov]