|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Влияние степени кристалличности на дисперсию оптических параметров тонких пленок фазовой памяти Ge2Sb2Te5статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Федянина М.Е., Лазаренко П.И., Воробьев Ю.В., Козюхин С.А., Дедкова А.А., Якубов А.О., Левицкий В.С., Сагунова И.В., Шерченков А.А.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Электроника
- Том: 25
- Номер: 3
- Год издания: 2020
- Издательство: Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 203
- Последняя страница: 218
- DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-3-203-218
- Аннотация: Активное исследование материала Ge2Sb2Te5 связано с возможностью создания многоуровневых энергонезависимых элементов для быстродействующих интегрально-оптических функциональных схем. Принцип многоуровневой записи в данных устройствах основан на формировании областей в тонких пленках Ge2Sb2Te5 с частичной кристаллизацией и существенно различающимися оптическими свойствами. Для прогнозирования параметров инициирующего фазовые превращения воздействия и надежного обеспечения обратимого перехода между множеством логических состояний необходима достоверная информация об оптических характеристиках тонких пленок Ge2Sb2Te5 в состояниях с разной степенью кристалличности и условиях их получения. В работе исследовано влияние фазового состояния пленок Ge2Sb2Te5 на коэффициент экстинкции и показатель преломления, изучено изменение значений оптической ширины запрещенной зоны в зависимости от температуры термообработки. Образцы тонких пленок Ge2Sb2Te5 исследованы методами атомно-силовой микроскопии, рентгенофазового анализа и энергодисперсионного микроанализа для определения их толщины, морфологии, фазового состояния и состава. С помощью метода спектральной эллипсометрии получены спектры эллипсометрических углов ψ и Δ (амплитудной и фазовой составляющих световой волны) и определены значения коэффициента экстинкции и показателя преломления. Рассмотрено влияние слоевых и математических моделей на расчет дисперсий оптических параметров пленок Ge2Sb2Te5. Установлено существенное увеличение значений коэффициента экстинкции и показателя преломления на длине волны излучения 1550 нм при термообработке выше 200 °С. Показано, что оптическая ширина запрещенной зоны тонких пленок Ge2Sb2Te5 в аморфном состоянии равна 0,71 эВ, а в кристаллическом - 0,47 эВ. Выяснено, что зависимости показателя преломления, коэффициента экстинкции и оптической ширины запрещенной зоны от степени кристалличности пленок Ge2Sb2Te5 близки к линейным.
- Добавил в систему: Дедкова Анна Александровна