|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Влияние технологических параметров процесса атомно-слоевой эпитаксии на однородность толщины зародышевых слоев GaNстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Никифоров М.О., Дедкова А.А., Рыгалин Б.Н.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Электроника
- Том: 25
- Номер: 3
- Год издания: 2020
- Издательство: Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 277
- Последняя страница: 281
- DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-3-277-281
- Аннотация: Один из способов получения совершенных нитридных структур для микроэлектроники - использование метода атомно-слоевой эпитаксии. В работе рассмотрено влияние технологических параметров процесса атомно-слоевой эпитаксии на динамику роста и равномерность распределения осажденного слоя нитрида галлия (GaN). Эксперименты проведены в реакторе оригинальной конструкции с горизонтальной подачей газа к поверхности подложек при изменении температуры роста в диапазоне 450-540 °C, давления от 4·10^4 Па (400 мбар) до 5·10^3 Па (50 мбар) и варьировании расхода триметилгаллия от 3 до 120 мл/мин. Толщина слоев определена на спектральном эллипсометре. Полученные образцы исследованы методом атомно-силовой микроскопии. Разработанные режимы обеспечивают получение равномерных по толщине зародышевых слоев GaN на сапфировых подложках.
- Добавил в систему: Дедкова Анна Александровна