|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
ВЛИЯНИЕ СЛОЯ НАНОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА ПРАКТИЧЕСКУЮ РЕАЛИЗАЦИЮ И ОСОБЕННОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА СЛОЕВ GAN НА ТЕМПЛЕЙТАХ SIC/POR-SI/C-SIстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 апреля 2022 г.
- Авторы: СЕРЕДИН П.В., ГОЛОЩАПОВ Д.Л., ЗОЛОТУХИН Д.С., ЛЕНЬШИН А.С., ХУДЯКОВ Ю.Ю., МИЗЕРОВ А.М., ТИМОШНЕВ С.Н., АРСЕНТЬЕВ И.Н., БЕЛЬТЮКОВ А.Н., LEISTE HARALD, КУКУШКИН С.А.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 54
- Номер: 5
- Год издания: 2020
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 491
- DOI: 10.21883/ftp.2020.05.49268.9317
- Аннотация: С использованием комплекса структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности выращивания слоев GaN технологией молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на темплейтах SiC/por-Si/c-Si. Показано, что введение переходного слоя нанопористого кремния в темплейт, в котором слой 3C-SiC был создан методом замещения атомов, дает ряд неоспоримых преимуществ по сравнению со стандартными подложками кремния. В частности, данный подход позволил снизить практически на 90% уровень напряжений кристаллической решетки в эпитаксиальном слое GaN и уменьшить долю вертикальных дислокаций в слое GaN. Слой GaN был выращен на поверхности слоя SiC, который, в свою очередь, находился на поверхности темплейта SiC/por-Si/c-Si. Впервые было обнаружено, что использование темплейта SiC/por-Si/c-Si приводит к формированию более однородного по качеству слоя GaN без видимых протяженных дефектов. Ключевые слова: нитрид галлия, карбид кремния, гибридные гетероструктуры, нанопористый кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота.
- Добавил в систему: Бельтюков Артемий Николаевич