Фотоиндуцированные решетки в сегнетоэлектрическом кристалле Sn2P2S6 с зависящим от интенсивности оптической накачки периодом

Прудковский, П.А.; Брехов, К.А.; Гришунин, К.А.; Кузнецов, К.А.; Мишина, Е.Д.; Фокин, М.С.; Китаева, Г.Х.

Авторы: Прудковский П.А., Брехов К.А., Гришунин К.А., Кузнецов К.А., Мишина Е.Д., Фокин М.С., Китаева Г.Х.
Журнал: Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики"
Том: 105
Номер: 3
Год издания: 2017
Первая страница: 142
Последняя страница: 147
DOI: 10.7868/S0370274X17030031
Аннотация: Обнаружено рассеяние света в форме кольцевых структур, возникающее в кристаллах Sn2P2S6 при распространении излучения мощной лазерной накачки вдоль кристаллографической оси b. Проходящее через кристалл излучение полностью рассеивается в конус, угол раствора которого растет с увеличе- нием мощности накачки и обратимо уменьшается при ее снижении. Наблюдаемый эффект может быть объяснен спонтанным ростом амплитуды фотоиндуцированных объемных дифракционных решеток и рассеянием на них света в направлениях, в которых фазовые набеги фоторефрактивной и дифракци- онной природы взаимно компенсируют друг друга. Сходный тип рассеяния наблюдался ранее в других фоторефрактивных кристаллах, однако возникновение решеток с периодом, легко варьируемым изме- нением мощности накачки, демонстрируется впервые.
Добавил в систему: Кузнецов Кирилл Андреевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Фотоиндуцированные решетки в сегнетоэлектрическом кристалле Sn2P2S6 с зависящим от интенсивности оптической накачки периодомстатья

Прикрепленные файлы