|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
РТ-симметричная терагерцовая фотопроводимость в структурах на основе топологической фазы Hg1–xCdxTe как суперпозиция процессов в активном слое и на гетерограницахтезисы доклада
- Авторы: Галеева А.В., Казаков А.С., Артамкин А.И., Иконников А.В., Рябова Л.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Хохлов Д.Р.
- Сборник: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.)
- Том: 2
- Тезисы
- Год издания: 2021
- Издательство: Изд-во Нижегор. ун-та
- Местоположение издательства: Н.Новгород
- Первая страница: 612
- Последняя страница: 613
- Аннотация: В работе показано, что в структурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe свойства двумерных топологических состояний, сформированных на гетерогранице тривиальный буфер – топологическая пленка, отличаются от состояний на границе раздела топологическая пленка – вакуум, и именно первые ответственны за появление РТ-симметричной фотопроводимости. Кроме того, показано, что источником неравновесных электронов, обуславливающих появление РТ-симметричной фотопроводимости, является объем пленки, в то время как местом проявления последней является гетерограница тривиальный буфер – топологическая пленка.
- Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович