MOCVD of ferroelectric BaMgF4 thin films

Ryazanov, M.; Korsakov, I.; Kuzmina, N.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2017 г.

Авторы: Ryazanov M., Korsakov I., Kuzmina N.
Журнал: Journal de Physique IV
Том: 9
Номер: P8
Год издания: 1999
Издательство: Les Editions de physique
Местоположение издательства: Les Ulis, France, France
Первая страница: 471
Последняя страница: 478
DOI: 10.1051/jp4:1999859
Аннотация: For the deposition of non-oxide ferroelectric fluoride BaMgF4 thin films, the single source MOCVD technique with a flash evaporation feeder was developed. To find suitable volatile precursors, a series of hexafluoroacetylacetonate barium and magnesium complexes was studied: Mg(hfa)(2)(H2O)(2), Mg(hfa)(2), [Ba(hfa)(2)](infinity), Ba(hfa)(2)(tetraglyme), Ba(hfa)(2)(phen)(2). In terms of the thermal behavior results, complexes Mg(hfa)(2) and Ba(hfa)(2)(tetraglyme) were chosen as MOCVD precursors and used for deposition of BaMgF4 on MgO(100) single crystalline substrates. Effects of the deposition process parameters (reactor temperature, oxygen now) on the composition and morphology of the films as well as on phase composition and preferred orientation were investigated.
Добавил в систему: Корсаков Игорь Евгеньевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

MOCVD of ferroelectric BaMgF4 thin filmsстатья

Прикрепленные файлы