Аннотация:Методом моделирования на ЭВМ выполнен расчет профилей радиационных дефектов в Si и GaAs, облученных мононаправленным и моноэнергетическим пучком ионов H и He в интервале энергий 0.1-25 МэВ. Рассчитаны профили радиационных дефектов в Si, облученном ионами He с энергией 5 МэВ от протяженного радиоизотопного источника.