|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrierтезисы доклада
- Авторы: Vasil’evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Imamov R.M., Lomov A.A., Prohorov D.Yu
- Сборник: Х International Conference "Micro- and Nanoelectronics", Zvenigorod, October 3th-7th, 2005, Book of Abstracts
- Тезисы
- Год издания: 2005
- Место издания: ФТИАН Zvenogorod
- Первая страница: P2-23
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич