Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrier - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrierстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 марта 2017 г.

Авторы: Vasilievskii I.S., Kulbachinskii V.A., Lomov A.A., Imamov R.M., Prokhorov D.Yu, Chuev M.A., Galiev G.B., Shirokov S.S.
Сборник: Proceedings of SPIE. Micro and Nanoelectronics. V. 6260, edited by K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky. 2006
Том: 6260
Год издания: 2006
Первая страница: 62600-1
Последняя страница: 62600-8
DOI: 10.1117/12.681733
Аннотация: edited by
Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич