|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Effect of heterovalent substitution on the electrical and optical properties of ZnO(M) thin films (M = Ga, In)статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 марта 2017 г.
- Авторы: Vorobyeva N.A., Rumyantseva M.N., Vasiliev R.B., Kozlovskii V.F., Soshnikova Yu M., Filatova D.G., Baranchikov A.E., Ivanov V.K., Gaskov A.M.
- Журнал: Russian Journal of Inorganic Chemistry
- Том: 59
- Год издания: 2014
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 403
- Последняя страница: 412
- DOI: 10.1134/S0036023614050192
- Аннотация: Films of undoped ZnO and zinc oxide doped with gallium and indium (ZnO(Ga) and ZnO(In)) have been prepared by the spin-coating method with the subsequent annealing at 500°C. Phase composition, microstructure, conductivity, and optical properties of the films have been investigated depending on the content of gallium and indium in them.
- Добавил в систему: Румянцева Марина Николаевна