Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe

Иконников, А.В.; Криштопенко, С.С.; Бовкун, Л.С.; Михайлов, Н.Н.; Дворецкий, С.А.; Пио, Б.А.; Потемски, М.; Орлита, М.; Тепп, Ф.; Гавриленко, В.И.

Авторы: Иконников А.В., Криштопенко С.С., Бовкун Л.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Пио Б.А., Потемски М., Орлита М., Тепп Ф., Гавриленко В.И.
Журнал: Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики"
Том: 116
Номер: 8
Год издания: 2022
Первая страница: 535
Последняя страница: 543
DOI: 10.31857/S123456782220007
Аннотация: Исследованы концентрационные зависимости расщепления основных линий магнитопоглощения в нелегированных двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe p-типа. Анализ расщепления линий магнитопоглощения, выполненный на основе самосогласованных расчетов зонной структуры, позволил конкретизировать природу структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe, а также определить вклады, обусловленные встроенным электрическим полем, различием толщин квантовых ям и порядка их расположения в структуре. Различие экспериментальных величин расщепления "нулевых" уровней Ландау, извлеченных из анализа двух типов линий, указывает на влияние многочастичных эффектов на энергии переходов между уровнями Ландау.
Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTeстатья Исследовательская статья

Прикрепленные файлы