|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Photoluminescence of amorphous and crystalline silicon nanoclusters in silicon nitride and oxide superlatticesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 ноября 2017 г.
- Авторы: Shuleiko D.V., Zabotnov S.V., Zhigunov D.M., Zelenina A.A., Kamenskih I.A., Kashkarov P.K.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 51
- Номер: 2
- Год издания: 2017
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 196
- Последняя страница: 202
- DOI: 10.1134/S1063782617020208
- Аннотация: The photoluminescence properties of silicon nitride and oxide superlattices fabricated by plasmaenhanced chemical vapor deposition are studied. In the structures annealed at a temperature of 1150°C, photoluminescence peaks at about 1.45 eV are recorded. The peaks are defined by exciton recombination in silicon nanocrystals formed upon annealing. Along with the 1.45-eV peaks, a number of peaks defined by recombination at defects at the interface between the nanocrystals and silicon-nitride matrix are detected. The structures annealed at 900°C exhibit a number of photoluminescence peaks in the range 1.3–2.0 eV. These peaks are defined by both the recombination at defects and exciton recombination in amorphous silicon nanoclusters formed at an annealing temperature of 900°C. The observed features of all of the photoluminescence spectra are confirmed by the nature of the photoluminescence kinetics.
- Добавил в систему: Заботнов Станислав Васильевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Semiconductors_2017.pdf | 359,0 КБ | 20 марта 2017 [zabotnov] |