|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Defect — deformation nanometer self-organisation upon laser recrystallisation of thin amorphous films on substratesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 декабря 2013 г.
- Авторы: Emel'yanov V.I., Eremin K.I., Sumbatov A.A.
- Журнал: Quantum Electronics
- Том: 32
- Номер: 9
- Год издания: 2002
- Издательство: Turpion - Moscow Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 753
- Последняя страница: 755
- DOI: 10.1070/QE2002v032n09ABEH002287
- Аннотация: A hidden hexagonal order in the arrangement of nanometer crystal grains formed upon laser recrystallisation of thin films of amorphous silicon on a substrate is experimentally found. The hexagonal ordering of the grains and the extremal dependence of the grain size on the laser pulse energy density are described within the framework of the cooperative defect — deformation mechanism of laser recrystallisation
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич