|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Properties of structures based on laser-plasma Mn-doped GaAs and grown by MOC-hydride epitaxyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Vasil'eva Y.V., Danilov Y.A., Ershov A.A., Zvonkov B.N., Uskova E.A., Davydov A.B., Aronzon B.A., Gudenko S.V., Ryl'kov V.V., Granovsky A.B., Gan'shina E.A., Perov N.S., Vinogradov A.N.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 39
- Номер: 1
- Год издания: 2005
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 77
- Последняя страница: 81
- DOI: 10.1134/1.1852650
- Аннотация: A method of doping GaAs with Mn using the laser evaporation of a metal target during MOC-hydride epitaxy is developed. The method is used to form both homogeneously doped GaAs:Mn layers and two-dimensional structures, including a delta-doped GaAs:Mn layer and a InxGa1 - xAs quantum well separated by a GaAs spacer with a thickness of d = 3-6 nm. It is shown that, at room temperature, the formed structures have magnetic and magnetooptical properties most probably caused by the presence of MnAs clusters. In the low-temperature region (similar to30 K), the anomalous Hall effect is observed. This effect is attributed to the exchange interaction between Mn ions via 2D-channel holes. (C) 2005 Pleiades Publishing, Inc.
- Добавил в систему: Перов Николай Сергеевич