Фоторезистивные планарные структуры на основе оксида графена и углеродных наночастиц

Авторы: Митюшев Н.Д., Баранов А.Н., Панин Г.Н.
Сборник: XXI Всероссийская конференция молодых ученых: "Актуальные проблемы неорганической химии: синхротронные и нейтронные методы в химии современных материалов"
Тезисы
Год издания: 2022
Место издания: Москва
Первая страница: 101
Последняя страница: 102
Аннотация: Мемристоры-это устройства, проводимость которых может меняться при прохождении через них заряда. Двумерные (2D) материалы, такие как восстановленный оксид графена (GO) позволяют получить фоторезистивныеструктуры в планарном исполнении. 2D материалы, модифицированные с помощью углеродных наночастиц (УНЧ), позволяют контролировать резистивные состояния мемристивных структур с помощью света в видимом диапазоне.
Добавил в систему: Митюшев Никита Дмитриевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА