|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Contact resistance between conducting antireflection coating and (n+ p)Si solar cellsстатья
- Авторы: Untila G.G., Osipov A.S.
- Сборник: Proceedings 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion
- Год издания: 1998
- Место издания: WIP Munich Munich
- Первая страница: 1555
- Последняя страница: 1557
- Аннотация: The contact resistance of ITO/(n+)Si interface in ITO/(n+-p)Si solar cells has been investigated and linked to the parameters of n+-layer forming technology, namely, the diffusion temperature, diffusion time, phosphorus content in the Phosphorus Containing Glass, and also on the time of heat treatment of deposited ITO films
- Добавил в систему: Унтила Геннадий Григорьевич