|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Microstructure and electrophysical properties of SnO2, ZnO and In2O3 nanocrystalline films prepared by reactive magnetron sputteringстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Ryzhikov A.S., Vasiliev R.B., Rumyantseva M.N., Ryabova L.I., Dosovitsky G.A., Gilmutdinov A.M., Kozlovsky V.F., Gaskov A.M.
- Журнал: Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
- Том: 96
- Номер: 3
- Год издания: 2002
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 268
- Последняя страница: 274
- DOI: 10.1016/S0921-5107(02)00378-1
- Аннотация: The influence of oxygen concentration in the plasma-forming gas on the microstructure, phase composition and electrical conductivity has been investigated for SnO2, ZnO and In2O3 films grown by reactive magnetron sputtering method. The evolution of the oxide microstructure and resistivity under annealing at 400 degreesC was also studied. The nanocrystallite size remains unaltered for all the investigated films, while the agglomerate size varies significantly depending on the type of oxide and annealing duration. The agglomerate size growth leads to reduction of film resistance and conductivity activation energy. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
- Добавил в систему: Васильев Роман Борисович