|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Interface states and capacitance-voltage characteristics of n-SnO2 : Ni/p-Si heterostructures under gas-adsorption conditionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Vasil'ev R.B., Gas'kov A.M., Rumyantseva M.N., Ryabova L.I., Akimov B.A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 35
- Номер: 4
- Год издания: 2001
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 424
- Последняя страница: 426
- DOI: 10.1134/1.1365187
- Аннотация: The n-SnO2:Ni/p-Si heterostructures were synthesized with a mean size of 6-8 nm of crystallites in the tin dioxide layer. The capacitance-voltage characteristics of these structures were measured in dry air and under adsorption of NO2 and C2H5OH molecules. The variation of a reference-signal frequency within 0.5-20 kHz made it possible to separate out the contribution of heterointerface states to the structure capacitance. Adsorption of NO2 molecules was shown to reduce the density of the heterointerface states, while adsorption of ethanol molecules resulted in its increase. (C) 2001 MAIK "Nauka/Interperiodica".
- Добавил в систему: Васильев Роман Борисович