Влияние отжига в инертной атмосфере на электрические свойства кристаллических пленок пентацена

Юрасик, Г.А.; Кулишов, А.А.; Гиваргизов, М.Е.; Постников, В.А.

Авторы: Юрасик Г.А., Кулишов А.А., Гиваргизов М.Е., Постников В.А.
Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
Том: 47
Номер: 23
Год издания: 2021
Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 40
Последняя страница: 43
DOI: 10.21883/pjtf.2021.23.51783.18983
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния отжига при 150◦С в инертной атмосфере (Ar +5% H2)на электрические свойства органических полевых транзисторов на основе пентацена. Кристаллическиепленки пентацена толщиной 95 ± 5 nm были получены с помощью вакуумного термического напыления.Исследованы передаточные и выходные характеристики полевых транзисторов до и после отжига в течение15 h. Установлено, что в результате термической обработки дырочная подвижность в режиме насыщенияувеличилась в среднем на 30%, а пороговое напряжение уменьшилось приблизительно в 2 раза. По данным атомно-силовой микроскопии отжиг привел к снижению шероховатости поверхности пленок пентацена более чем в 2 раза, а также к заметному укрупнению зерен, что и привело к уменьшению концентрации ловушек для дырочного электротранспорта в канале полевого транзистора.
Добавил в систему: Постников Валерий Анатольевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Влияние отжига в инертной атмосфере на электрические свойства кристаллических пленок пентаценастатья

Прикрепленные файлы