|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
ФОТОРЕФРАКТИВНАЯ РЕШЕТКА ВБЛИЗИ ГРАНИЦЫ КУБИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА С ПРИЛОЖЕННЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Кириллов А.М., Шандаров С.М.
- Журнал: Квантовая электроника
- Том: 26
- Номер: 2
- Год издания: 1999
- Издательство: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 185
- Последняя страница: 188
- Аннотация: В приближении заданного распределения фотовозбужденных электронов в зоне проводимости рассмотрена структура фоторефрактивной решетки вблизи границы кубического кристалла с приложенным внешним постоянным электрическим полем. В рамках данного приближения проведен анализ структур поля пространственного заряда, упругих полей и возмущений тензора диэлектрической проницаемости Δϵ^Δϵ^ в приповерхностной области кристалла. Показано, что при ориентации вектора решетки вдоль оси [001] кристалла в приграничной области существуют упругие смещения и диагональные элементы тензора Δϵ^Δϵ^, отсутствующие в объеме образца. Относительные aмплитуды упругих деформаций и возмущений диэлектрической проницаемости пропорциональны приложенному полю E0E0 и в кристалле Bi1212SiO2020 могут достигать ∼∼10−6−6 и 10−5−5 соответственно при E0E0 = 10 кВ/см.
- Добавил в систему: Кириллов Андрей Михайлович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | qe14451.pdf | 401,3 КБ | 19 мая 2017 [kirill806] |