Температурная зависимость ферромагнитного резонанса в структурах Co/FeMn и Co/IrMn с обменным смещением

Чеченин, Н.Г.; Ежов, А.А.; Герасименко, А.В.; Джунь, И.О.

Авторы: Чеченин Н.Г., Ежов А.А., Герасименко А.В., Джунь И.О.
Сборник: Новые технологии : материалы IX Байкальской Международной конференции
Год издания: 2023
Место издания: Издательство ИГУ Иркутск
Первая страница: 141
Последняя страница: 142
DOI: 10.26516/978-5-9624-2178-0.2023.1-207
Аннотация: В данной работе представлены результаты исследований динамики намагниченности методом ФМР в структурах Co/IrMn и Co/FeMn. Для разделения собственного Ф вклада и вклада Ф/АФ обменного взаимодействия на границе раздела слоев в данные эффекты полученные результаты сопоставлены с аналогичными результатами для свободного Ф слоя. Показано, что для свободного слоя Со уменьшение резонансного поля при понижении температуры происходит главным образом из-за увеличения одноосной магнитной кристаллической анизотропии, в то время как изотропный вклад в резонансное поле практически не изменяется. В то же время для структуры Co/IrMn уменьшение резонансного поля при понижении температуры главным образом вызвано значительным возрастанием ротационной анизотропии, практически отсутствующей при комнатной температуре. В образце Co/FeMn ротационная анизотропия отрицательна и незначительно зависит от температуры, но относительно велика даже при комнатной температуре. Изменение резонансного поля для данного образца происходит главным образом за счет изменения обменного смещения. Отрицательные значения ротационной анизотропии могут быть связаны со слабой текстурированностью слоя FeMn, а также неоднородной морфологией поверхности (наличием и хаотичным распределением крупных АФ зерен), что подтверждается результатами исследований методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии. Температурная зависимость ширины линии ФМР свободного слоя Co описывается в рамках процесса медленной релаксации, обусловленного спин-решеточной релаксацией за счет взаимодействия примесей с электронами проводимости. Увеличение ширины линии ФМР в образце Co/FeMn в отличие от образцов Co/IrMn и свободного Co при комнатной температуре может быть объяснено увеличением вклада мозаичности из-за неоднородностей текстуры, размера зерен и топографии поверхности, которые также приводят к колебаниям толщины слоя АФ.
Добавил в систему: Джунь Ирина Олеговна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Температурная зависимость ферромагнитного резонанса в структурах Co/FeMn и Co/IrMn с обменным смещениемстатья

Прикрепленные файлы