|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
EXAS study of the promising semiconductor material Ga2Se3статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 октября 2017 г.
- Авторы: Valeev R.G., Kriventsov V.V., Mezentsev N.A.
- Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
- Том: 77
- Номер: 9
- Год издания: 2013
- Издательство: Allerton Press Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 1154
- Последняя страница: 1156
- DOI: 10.3103/s1062873813090487
- Аннотация: Ga2Se3, a promising material for absorbing layers of highefficient solar cells, is studied by EXAFS spectroscopy. Structural data (e.g., interatomic distances and coordination numbers) are obtained for the local environment of gallium and selenium, and are compared to modeling calculations performed using FEFF-8 software.
- Добавил в систему: Валеев Ришат Галеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | BRAS_2013-77-9_1154-1156.pdf | 186,6 КБ | 23 мая 2017 [RiVal] |