|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Non-linear Raman shift-stress behavior in top-down fabricated highly strained silicon nanowiresстатья
- Авторы: Spejo L.B., Arrieta-Concha J.L., Puydinger dos Santos M.V., Barros A.D., Bourdelle K.K., Diniz J.A., Minamisawa R.A.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 128
- Номер: 4
- Год издания: 2020
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- DOI: 10.1063/5.0013284
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович