|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Experimental demonstration of strained Si nanowire GAA n-TFETs and inverter operation with complementary TFET logic at low supply voltagesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
- Авторы: Luong G.V., Strangio S., Tiedemannn A., Lenk S., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Zhao Q.T., Mantl S.
- Журнал: Solid-State Electronics
- Том: 115
- Год издания: 2016
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 152
- Последняя страница: 159
- DOI: 10.1016/j.sse.2015.08.020
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович