|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Demonstration of improved transient response of inverters with steep slope strained Si NW TFETs by reduction of TAT with pulsed I-V and NW scalingстатья
- Авторы: Knoll L., Zhao Q.T., Nichau A., Richter S., Luong G.V., Trellenkamp S., Schafer A., Selmi L., Bourdelle K.K., Mantl S.
- Сборник: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting
- Год издания: 2013
- Место издания: IEEE
- DOI: 10.1109/iedm.2013.6724560
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович