|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Si tunneling transistors with high on-currents and slopes of 50mV/dec using segregation doped NiSi2 tunnel junctionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
- Авторы: Knoll L., Schmidt M., Zhao Q.T., Trellenkamp S., Schäfer A., Bourdelle K.K., Mantl S.
- Журнал: Solid-State Electronics
- Том: 84
- Год издания: 2013
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 211
- Последняя страница: 215
- DOI: 10.1016/j.sse.2013.02.028
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович