|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Hole Transport in Strained $\hbox{Si}_{0.5} \hbox{Ge}_{0.5}$ QW-MOSFETs With $\langle\hbox{110}\rangle$ and $\langle\hbox{100}\rangle$ Channel Orientationsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Minamisawa R.A., Schmidt M., Knoll L., Buca D., Zhao Q.T., Hartmann J.M., Bourdelle K.K., Mantl S.
- Журнал: IEEE Electron Device Letters
- Том: 33
- Номер: 8
- Год издания: 2012
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 1105
- Последняя страница: 1107
- DOI: 10.1109/led.2012.2199958
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович