Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Hole Mobilities of $\hbox{Si/Si}_{0.5}\hbox{Ge}_{0.5}$ Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI
статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Том:
33
Номер:
6
Год издания:
2012
Издательство:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Местоположение издательства:
Piscataway, NJ, United States
Первая страница:
758
Последняя страница:
760
DOI:
10.1109/led.2012.2190035