|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Planar and nanowire Schottky barrier MOSFETs on SOI with NiSi and epitaxial NiSi<inf>2</inf> contactsстатья
- Авторы: Zhao Q.T., Knoll L., Schafer A., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Mantl S.
- Сборник: 2012 12th International Workshop on Junction Technology
- Год издания: 2012
- Место издания: IEEE
- DOI: 10.1109/iwjt.2012.6212838
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович