Si Nanowire tunnel FETs with epitaxial NiSi<inf>2</inf> source/drain and dopant segregation - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Si Nanowire tunnel FETs with epitaxial NiSi<inf>2</inf> source/drain and dopant segregationстатья

Авторы: Knoll L., Zhao Q.T., Richter S., Trellenkamp S., Schafer A., Bourdelle K.K., Mantl S.
Сборник: 2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
Год издания: 2012
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/icsict.2012.6466720
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович