|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
p-Type Ion Implantation in Tensile Si/Compressive Si<sub>0.5</sub>Ge<sub>0.5</sub>/Tensile Strained Si Heterostructuresстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Minamisawa R.A., Buca D., Holländer B., Hartmann J.M., Bourdelle K.K., Mantl S.
- Журнал: Journal of the Electrochemical Society
- Том: 159
- Номер: 1
- Год издания: 2011
- Издательство: Electrochemical Society, Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: H44
- Последняя страница: H51
- DOI: 10.1149/2.060201jes
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович