|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
High mobility strained Si0.5Ge0.5/SSOI short channel field effect transistors with TiN/GdScO3 gate stackстатья
- Авторы: Minamisawa R.A., Schmidt M., Durgun Özben E., Lopes J.M.J, Hartmann J.M., Bourdelle K.K., Schubert J., Zhao Q.T., Buca D., Mantl S.
- Журнал: Microelectronic Engineering
- Том: 88
- Номер: 9
- Год издания: 2011
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 2955
- Последняя страница: 2958
- DOI: 10.1016/j.mee.2011.04.030
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович