|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
20nm Gate length Schottky MOSFETs with ultra thin NiSi/epitaxial NiSi<inf>2</inf> source/drainстатья
- Авторы: Knoll L., Zhao Q.T., Luptak R., Trellenkamp S., Bourdelle K.K., Mantl S.
- Сборник: Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon
- Год издания: 2011
- Место издания: IEEE
- DOI: 10.1109/ulis.2011.5757986
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович