Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Rare-earth oxide/TiN gate stacks on high mobility strained silicon on insulator for fully depleted metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Durğun Özben E.
,
Lopes J.M.J
,
Nichau A.
,
Lupták R.
,
Lenk S.
,
Besmehn A.
,
Bourdelle K.K.
,
Zhao Q.T.
,
Schubert J.
,
Mantl S.
Журнал:
Journal of Vacuum Science & Technology B
Том:
29
Номер:
1
Год издания:
2011
Издательство:
AIP Publishing
Местоположение издательства:
United States
DOI:
10.1116/1.3533760
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович