Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
The effect of order and dose of H and He sequential implantation on defect formation and evolution in silicon
статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Авторы:
Nguyen Phuong
,
Bourdelle K.K.
,
Maurice T.
,
Sousbie N.
,
Boussagol A.
,
Hebras X.
,
Portigliatti L.
,
Letertre F.
,
Tauzin A.
,
Rochat N.
Журнал:
Journal of Applied Physics
Том:
101
Номер:
3
Год издания:
2007
Издательство:
AIP Publishing
Местоположение издательства:
United States
DOI:
10.1063/1.2432380
Добавил в систему:
Бурдель Константин Константинович