Time Dependence Study Of Hydrogen-Induced Defects In Silicon During Thermal Anneals - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Time Dependence Study Of Hydrogen-Induced Defects In Silicon During Thermal Annealsстатья

Авторы: Personnic S., Tauzin A., Bourdelle K.K., Letertre F., Kernevez N., Laugier F., Cherkashin N., Claverie A., Fortunier R.
Сборник: AIP Conference Proceedings
Год издания: 2006
Место издания: AIP
DOI: 10.1063/1.2401463
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович