|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Mechanism of the Smart Cut™ layer transfer in silicon by hydrogen and helium coimplantation in the medium dose rangeстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Nguyen Phuong, Cayrefourcq I., Bourdelle K.K., Boussagol A., Guiot E., Ben Mohamed N., Sousbie N., Akatsu T.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 97
- Номер: 8
- Год издания: 2005
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- DOI: 10.1063/1.1865318
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович