|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
The effect of fluorine from BF<sub>2</sub> source/drain extension implants on performance of PMOS transistors with thin gate oxidesстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
- Авторы: Bourdelle K.K., Gossmann H.J L, Chaudhry S., Agarwal A.
- Журнал: IEEE Electron Device Letters
- Том: 22
- Номер: 6
- Год издания: 2001
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 284
- Последняя страница: 286
- DOI: 10.1109/55.924843
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович