Comparison of B and BF/sub 2/ source/drain extension implants for PMOS transistors with thin gate oxides - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Comparison of B and BF/sub 2/ source/drain extension implants for PMOS transistors with thin gate oxidesстатья

Авторы: Bourdelle K.K., Gossmann H.J L, Chaudhry S., Agarwal A.
Сборник: 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432)
Год издания: 2000
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/iit.2000.924081
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович