|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Приборно-технологическое моделирование дискретного кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6,5 Вольт / Н.Лстатья
- Авторы: Дудар Н.Л., Борздов В.М.
- Журнал: Электроника инфо
- Номер: №2
- Год издания: 2011
- Первая страница: 77
- Последняя страница: 80
- Аннотация: Моделирование полупроводниковых структур имеет важное значение при разработке и оптимизации процесса технологии изготовления новых изделий твердотельной электроники. В данной работе приведены результаты моделирования оригинального технологического процесса изготовления кремниевых стабилитронов с напряжением стабилизации Uct=(6,5±0,5) В при токе ~5 мА и активной площадью р-п-перехода 125x125 мкм2. Маршрут изготовления стабилитрона, для которого проводился расчет, включает в себя формирование областей охранных колец п+-типа в подложке р-типа, р-п-перехода в подложке p-типа, межслойного окисла, а также напыление металла. В результате проведенных расчетов были получены значения напряжения стабилизации и дифференциального сопротивления обратной ветви ВАХ стабилитрона для значений удельного сопротивления подложки pv=0,003, 0,004, 0,005 Ом-см в условиях нормальной (+27°С), пониженной (-55°С) и повышенной (+150°С) температур. Результаты, полученные при моделировании, хорошо согласуются с экспериментальными данными.
- Добавил в систему: Лагунович Наталия Леонидовна